产品介绍

  当前，全球经济“数字化”、“低碳化”转型所驱动的芯片长期需求方兴未艾。从2023年年初开始，生成式人工智能技术应用强势步入大众视野，全球互联网巨头争相投入庞大的人力物力，力图占据下一次技术革命的“桥头堡”。算力和数据成为这场争夺战的“弹药”和“粮草”。

  因此，尽管能够取代智能手机的新一代主机类型尚未面世，传统的消费者市场驱动型的半导体周期仍在底部，但企业端对算力和数据的渴求，慢慢的开始拉动半导体产业的部分细分市场蒸蒸日上，并驱动中下游的集成电路制造厂商与半导体制造设备供应商扩大产能和研发投入，为市场注入新的动能。数以千亿美元计的资金正在太平洋两岸创造更多的芯片产能。

  公司根植全球半导体产业链，密切跟踪海外市场，我已经感受到这场变革犹如破晓前的朝晖，预示着地平线下躁动的新鲜事物和朗朗乾坤。

  2023年，公司创立十年来首次面临亏损。重资产的硅片业务仍处于评估认证阶段，暂时未能产生相应的回报，拖累了公司的盈利水平；而主力的大直径硅材料业务，也因为半导体周期下行需求减少，收入下滑较大。

  2024年伊始，公司管理层加紧与下游客户的联系，面对面与客户交流互动，积极跟踪行业发展动态，巩固公司在大直径硅材料市场的国际地位。

  另一方面，随着国内集成电路制造厂硅部件评估工作逐步扩大，公司将聚焦高端产品，增加产能，紧跟客户真正的需求，提高反馈速度，确保质量为先，力争硅零部件业务取得较快发展。硅片方面，将进入评估深入的一年，公司将在质量稳定的前提下提高产量，确保评估认证需求与经济效益的平衡。

  不忘初心，方得始终。半导体产业周期常有，穿越周期、越战越强的公司不常有，惟有实事求是、自我革新才能基业长青。2024年，公司管理层将砥砺前行，带领全体员工跨过激流险滩，有信心带给股东们长期、稳健的回报。

  再次感谢所有关注、支持神工股份的朋友们！神工股份董事长 2024年3月29日

  一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

  公司已在本报告中详细描述了可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”中关于公司可能面临的各种风险及应对措施部分内容。

  五、 容诚会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

  六、 公司负责人潘连胜、主管会计工作负责人袁欣及会计机构负责人（会计主管人员）刘邦涛声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

  七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经容诚会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2023年度实现归属于上市公司股东的净利润为人民币-6,910.98万元，截至2023年12月31日，公司累计未分配利润为人民币33,443.93万元。根据《锦州神工半导体股份有限公司章程》（以下简称“《公司章程》”）规定，公司当年盈利及累计未分配利润为正数时进行利润分配。

  公司最大限度地考虑整体盈利水平以及实际发展需求，为更好地维护全体股东的长远利益，2023年度公司拟不进行利润，不派发现金红利，资本公积不转增股本，不送红股。以上利润分配预案已经公司第二届董事会第十七次会议审议通过，尚需公司股东大会审议通过。

  公司年度报告中涉及公司未来计划、发展的策略等前瞻性陈述，不构成公司对投入资产的人的实质性承诺，敬请投资者注意投资风险。

  十二、 是不是真的存在半数以上董事没办法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

  北京航天科工军民融合科技成果转化创业互助基金（有限合 伙），系公司股东

  宁波梅山保税港区晶励投资管理合伙企业（有限合伙）已于 2023 年 7 月更名为“温州晶励企业管理合伙企业（有限合 伙）”，系公司股东

  在氩气气氛下进行高温退火的工艺，能够有效地消除硅片近表 面区域缺陷,提高硅片质量。还可利用退火工艺在硅片内部形 成氧沉淀来提高硅片的内吸杂能力,进而提高硅片质量

  Semiconductor Equipment and Materials International， 国际半导体设备和材料协会

  World Semiconductor Trade Statistics，世界半导体贸易统 计协会

  Bulk Micro Defect，体微缺陷，硅片在经过热处理之后的氧 析出物，通常分布于硅片内部，能够吸收硅片表层热扩散而来 的金属杂质

  Site Total lndicator Reading，局部平整度，硅片的每个局 部区域面积表面与基准平面之间的最高点和最低点的差值

  Total Thickness Variation，总厚度偏差，指硅片的最大与 最小厚度之差值

  硅（Si）的单晶体，也称硅单晶，是以高纯度多晶硅为原料， 在单晶硅生长炉中熔化后生长而成的，原子按一定规律排列 的，具有基本完整点阵结构的半导体材料

  由具有一定尺寸的硅晶粒组成的多晶体，各个硅晶粒的晶体取 向不同，是生产单晶硅棒的直接原料

  晶圆制作的完整过程中干式刻蚀工艺的主要设备，主要分成 ICP 与 CCP 两大类。其原理是利用 RF 射频电源，由腔体内的硅上电 极将混合后的刻蚀气体进行电离，形成高密度的等离子体，从 而对腔体内的晶圆进行刻蚀，形成集成电路所需要的沟槽

  切克劳斯基（Czochralski）方法，由波兰人切克劳斯基在1917 年建立的一种晶体生长方法。后经多次改进，现在已经成为制备单 晶硅的一种主要方法

  用于提供热传导及绝热的所有部件的总称，由加热及保温材料 构成，对炉内原料加热及保温的载体，是晶体生长设备的 核心部件

  硅基半导体集成电路制作所用的单晶硅片。由于其形状为圆 形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构， 而成为有特定电性功能之集成电路产品

  集成电路制造主要工艺之一的“干式（等离子）刻蚀”所用。 等离子刻蚀设备腔体内的核心零部件。从控制腔体内洁净度等 方面考虑，材料多采用与硅片同质的大直径硅材料，经精密加 工后，成为刻蚀机腔体中硅上电极，或与晶圆非间接接触的硅片 托环等硅零部件

  Through-Silicon Via，硅通孔工艺，在集成电路内部穿过硅 片进行垂直连接，以实现更高的集成度和更快的数据传输速 度。TSV工艺在三维集成电路和芯片层间连接中发挥关键作用。

  Dynamic Random Access Memory，DRAM是一种内存产品，用 于存储计算机系统中的数据和程序。它是一种随机访问存储 器，数据可以每时每刻被读取和写入，但需要定期刷新以维持存储 的数据

  Negative-AND ，NAND是一种非易失性存储器技术或产品，通 常用于闪存存储器中，如SSD和闪存卡。它具有高密度、低成 本和较快的读取速度，被大范围的应用于各种电子设备中

  High Bandwidth Memory，高带宽内存，是一种基于堆叠技术 的内存架构或产品，通过在一个封装中堆叠多个DRAM芯片来 提供高带宽和低能耗的内存解决方案

  公司2023年归属于上市公司股东的纯利润是-6,910.98万元，同比减少143.70%，主要系半导体行业周期下行，公司大直径硅材料业务收入同比一下子就下降，半导体大尺寸硅片和硅零部件业务收入贡献有限，导致营业收入同比减少所致。

  公司2023年经营活动产生的现金流量净额同比减少36.83%，主要系营业收入减少，从而客户回款减少所致。

  公司2023年基本每股盈利、稀释每股盈利同比减少143.43%，扣除非经常性损益后的基本每股收益同比减少145.36%，主要系报告期内归属于上市公司股东的净利润减少所致。

  (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况

  (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况

  计入当期损益的政府补助，但与 公司正常经营业务紧密关联、符 合国家政策规定、按照确定的标 准享有、对公司损益产生持续影 响的政府救助除外

  除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外，非金融企业 持有金融实物资产和金融负债产生的 公允市价变动损益以及处置金融 资产和金融负债产生的损益

  企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资所需成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允市价产生的收益

  对于现金结算的股份支付，在可 行权日之后，应付职员薪酬的公 允价值变动产生的损益

  对公司将《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

  2023年，全球经济稳步的增长受到持续高利率、地理政治学冲突的不利影响：根据国际货币基金组织统计，全球经济增长率从2022年的3.5%下降至2023年的3.0%；全球通胀率从2022年的8.7%下降至 2023 年的 6.9%，仍处于较高水平，终端消费者市场需求仍受抑制。全球经济大环境叠加半导体市场供求关系周期性变化，以及一些国家推出的半导体产业投资补贴政策和技术出口管制政策对供应链的扰动仍在持续，年内市场环境仍趋复杂。

  根据世界半导体贸易统计协会（WSTS）2023年11月发布的数据，2023年全球半导体市场规模为5,200亿美元，同比下滑9.4%。公司认为，尽管全球半导体市场短期萎缩，但全球经济“数字化”、“低碳化”转型所推动的半导体市场长期需求仍然强劲；短期来看，随着2023年年初以来生成式AI应用的不断突破，全球主要科技公司纷纷加大资源投入，算力相关集成电路细分产品如HBM率先获益，消费电子市场持续近四个季度的库存消耗接近尾声，因此半导体市场呈现结构性复苏；但是，由于消费电子市场下一代主机产品尚未定型，智能手机和个人电脑出货量增长前景暗淡，汽车电子、工业、传统服务器需求出现调整，因此全球半导体市场仍未全方面进入下一轮上行周期。公司扎根于分工严密的国际半导体供应链中，所处硅材料细分行业在整个半导体产业链上游，经营业绩与上述数据所呈现的半导体行业景气度仍高度相关。

  报告期内，公司持续优化了产品结构、按计划扩大生产规模，加强完善了产品技术指标和销售网络，克服种种不利影响，实现营业收入13,503.32万元，比去年同期减少74.96%；2023年公司硅零部件与半导体大尺寸硅片业务仍处于开拓期，研发费用等投入较多，尚未能够贡献盈利。

  以上双重问题造成公司净利润会降低。归属于上市公司股东的净利润-6,910.98 万元，比去年同期下降143.70%。

  从产业链角度分析，公司的大直径硅材料产品，直接销售给日本、韩国等国的知名硅零部件厂商，后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备厂商，例如美国泛林集团（Lam Research）和日本东电电子（Tokyo Electron Limited, TEL），并最终销售给三星电子、SK Hynix、英特尔和台积电等国际知名集成电路制造厂商。根据上述国际主流刻蚀机设备厂商和集成电路制造厂商披露的财务数据，目前下游库存调整仍在进行中，集成电路制造厂商产能利用率低迷，相应造成上游材料采购数量和交期调整，影响存量市场。报告期内，公司的硅零部件产品实现同比翻倍增长，实现营业收入3,763.90万元；半导体大尺寸硅片产品收入达到825.83万元。以上产品主要面向中国市场销售，已经在中国本土供应链安全建设中发挥独特作用，伴随国产等离子刻蚀机设备厂商及集成电路制造厂商的崛起，公司将获得更大的成长空间和更强的成长动能。

  从公司经营角度分析，2023年公司半导体大尺寸硅片相关固定资产折旧金额较大，加之硅片产品评估认证周期较长，因此平均产能利用率有限，公司停工损失较多为3,878.90万元。存货消化较慢，成本相比来说较高，造成计提存货跌价准备为3,042.37万元。公司研发费用为2,246.56万元，及时满足了客户评估认证需求，相关研发项目结题后，将推动公司此项业务进入加快速度进行发展期。

  面对外部市场环境风云变幻，公司管理层在报告期内坚定执行长期发展的策略和既定年度经营计划。公司具体经营成果总结如下：

  大直径硅材料业务，目前公司大直径多晶硅材料及其制成品已经通过部分客户认证并实现稳定出货。该业务年内实现营业收入8,354.66万元。

  硅零部件业务，公司配合国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品，适用于12英寸等离子刻蚀机，已有十余个料号通过认证并实现批量供货，同时能满足刻蚀机设备原厂不断提升的技术升级要求。公司产品的认证应用范围，已经从研发机型扩展至某些成熟量产机型。公司在数家12英寸集成电路制造厂商已有数十个料号获得评估认证通过结果。完成评估认证的产品，在集成电路制造厂商相应料号中所占据的采购份额持续提升。

  半导体大尺寸硅片业务，公司某款硅片已定期出货给某家日本客户。技术难度较高的8英寸轻掺低缺陷超平坦硅片在国内主流客户端评估中取得认证通过并取得批量订单。

  大直径硅材料业务，公司根据直接客户订单数量并结合行业的需求增速，按计划扩充产能，其中大直径多晶硅材料产能扩大约一倍，继续保持该细分市场产能规模全球竞争优势；硅零部件业务，公司在泉州、锦州两地扩大生产规模，实现了较快速度的产能爬升。

  公司的研发投入，综合考虑新产品布局、已有产品质量改善和经济效益综合考量，基于下游客户端具体明确的评估认证要求来开展研发活动，报告期内取得核心技术 4 项，获得发明专利 5个，实用新型专利18个。

  大直径硅材料业务，公司在大直径多晶硅材料及其制成品生产技术方面不断取得进展，取得了更多试验数据，研发取得了一项核心技术“多晶硅晶体致密性优化技术”。晶体良品率持续提高。

  硅零部件业务，公司针对超平面空间结构，已经开发出多款适配终端客户需求的硅零部件。

  加工工艺方面实现了优良的表面完整性，持续强化定制开发能力，研发取得了“硅部件精密刻蚀洗净技术”，进一步满足下游客户的需求。

  半导体大尺寸硅片业务，公司实现了技术难度较大、毛利率较高的轻掺低缺陷硅片细分产品研发。公司按计划进一步提高了对硅片表面的指标要求，研发取得了“硅片表面颗粒清洗技术”，逐步提高产出率，能够持续满足下游客户需求。

  公司募投项目“8 英寸半导体级硅单晶抛光片生产建设项目”和“研发中心建设项目”已达到预定可使用状态并结项；

  目前年产 180 万片所需要的生产设备已经全部订购完成，其中一期 5 万片/月的设备已达到规模化生产状态。二期订购的10万片/月的设备已经进场并安装调试。当前公司产品大多数的技术指标和良率已经达到或基本接近业内主流大厂的水准。

  公司募投项目“集成电路刻蚀设备用硅材料扩产项目”按计划投入并处于工程施工和设备安装阶段。新建的单晶、多晶两条刻蚀用硅材料生产线，将满足下游日益增长的不同尺寸的市场需求。

  二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况

  报告期内，公司克服下游需求周期性下滑的不利影响，在营业收入大幅下滑的不利条件下，严控成本，加强管理，继续维持了大直径硅材料产品较高的毛利水平。两大业务“硅零部件”和“半导体大尺寸硅片”，公司的研发投入符合市场需求，市场推广取得显著进展，在国产半导体供应链中占据了有利位置，在下游客户面临技术出口管制导致的供应链风险时发挥了独特的支撑作用，进一步打开了市场空间；原有“大直径硅材料”业务，产能经稳健扩充继续保持全球领先，全球细分市场领先优势进一步巩固。主要情况分别说明如下：

  这一业务板块的产品，按直径覆盖了从14英寸至22英寸所有规格，主要销售给日本、韩国等国的硅零部件加工厂，因此也可称之为“集成电路刻蚀用大直径硅材料”。该产品具有国际竞争力，在技术、品质、产能和市场占有率等方面处于世界领先水平，也是公司的主要营业收入来源。

  报告期内，公司大直径硅材料产品生产情况稳定，产能逐步提升中；产品结构继续优化升级，利润率较高的16英寸以上产品收入占比进一步提升，从2022年度的28.95%提升至2023年度的39.01%，对该业务保持平稳的整体毛利率水平有较大贡献。

  上述“大直径硅材料”，经过切片、磨片、腐蚀、打微孔、形状加工、抛光、清洗等一系列精密加工后，最终做成等离子刻蚀机用硅零部件。公司是具备“从晶体生长到硅电极成品”完整制造能力的一体化厂商，拥有全球领先的大直径硅材料晶体制造技术，是等离子刻蚀机设备厂家硅零部件产品的上游材料供应商。硅电极产品具有“品种多、批量小”的特点，具体产品消耗量依集成电路制造厂商的等离子刻蚀机种类、腔体结构、数量和具体制造工艺所决定，尺寸越大，设计要求越复杂的产品，对加工能力要求越高，毛利率相对越高。

  根据公司自主调研数据，目前国内12英寸集成电路制造厂约有50万片/月的产能，因此合理估计国内硅零部件市场已有18亿元人民币/年以上的市场规模。其中，国内集成电路制造厂客户的自主委托定制改进硅零部件市场需求为15亿元人民币/年；另外，中国本土等离子刻蚀机原厂的OEM硅零部件市场需求为3亿元人民币/年。预计未来3-5年，国内硅零部件市场的国产化率将从最初的5%，逐步达到50%以上，考虑到当前国际政治经济形势，该进程有望加速。

  报告期内，硅零部件产品实现收入达到3,763.90万元以上，实现翻番。国内集成电路制造厂商客户方面，公司已经获得更多评估认证机会，在数家12英寸集成电路制造厂商已有数十个料号获得评估认证通过结果。目前公司硅零部件产品整体销售数量不断攀升，其中加工难度较大、价值较高的产品销售占比逐步扩大。

  随着美国对华技术出口管制政策收紧，美系半导体制造设备原厂应为中国本土集成电路制造厂商已安装机台提供的备件、维保服务受到阻碍，供应链风险加速暴露。中国本土集成电路制造厂商客户对硅零部件产品的自主委托定制改进需求持续增加，评估认证积极性增强，认证速度提升。

  公司配合国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品，适用于12英寸等离子刻蚀机，已有十余个料号通过认证并实现批量供货，同时能够很好的满足刻蚀机设备原厂不断的提高的技术升级要求。公司产品的认证应用场景范围，已经从研发机型扩展至某些成熟量产机型。

  为保证未来客户批量订单的及时交付，公司子公司福建精工半导体股份有限公司已经在泉州、锦州两地扩大生产规模，实现了较快速度的产能爬升。

  公司以生产技术门槛高，市场容量比较大的轻掺低缺陷抛光硅片为目标，致力于满足该产品的国内需求。轻掺低缺陷硅片主要用于低电压高性能电子产品，如手机等；而重掺硅片则较多用于高电压产品，如充电器、家用电器、交通设备、通信设备等。低压产品的设计线宽更小，对硅片内在缺陷的控制要求更高，且硅片表面一般不做或只做很薄的外延层。轻掺低缺陷抛光硅片可以应用于8英寸相对高端的产品制程，拥有较高的附加价值。从全球市场8英寸硅片总需求上看，轻掺硅片占全部需求的70-80%；在12英寸硅片总需求中，轻掺硅片占比几近100%。公司8英寸轻掺低缺陷硅片产品对标日本信越化学公司生产的同类硅片。该款硅片目前市场价格相对较高，因销售地区、付款条件、客户策略等差异略有不同。

  报告期内，半导体大尺寸硅片实现收入825.83万元。公司某款硅片已定期出货给某家日本客户，其各项指标已经满足了正片标准，证明公司的技术水平已经达到了国际水准。另外，公司 8英寸测试片已经是国内数家集成电路制造厂商该材料的合格供应商；8 英寸轻掺低缺陷超平坦硅片，某些技术指标难度远大于正片，已经取得某国际一流集成电路制造厂客户端评估认证通过并取得批量订单。

  目前，“8 英寸轻掺低缺陷抛光硅片项目”年产 180 万片所需要的生产设备已经全部订购完成，其中一期5万片/月的设备已达到规模化生产状态。二期订购的10万片/月的设备已陆续进场并安装调试，公司半导体大尺寸硅片产能将继续稳健扩充。

  公司主营业务为大直径硅材料、硅零部件、半导体大尺寸硅片及其应用产品的研发、生产和销售，其采购、生产、销售模式如下：

  公司建立了供应商管理体系和供应商认证制度，根据供应商的资质条件、产品质量、供货能力、服务水平等情况对供应商进行综合评价，将符合条件的供应商纳入合格供应商清单。供应商进入清单后，公司会基于各部门的反馈以及市场调研情况，定期从产品质量和供货情况等方面对供应商进行持续评估和认证，根据评估结果调整采购订单的分配，并确保主要原材料有两家以上合格供应商具备供应能力。

  公司采取“客户订单+自主备货”的生产模式。公司依据客户发送的定制化产品订单情况组织采购和生产。此外，公司还会结合下游市场需求预测和与客户沟通情况统筹安排备货计划。

  公司建立了《产品标识和可追溯管理规定》，每一件产成品均可以通过产品编号检索至单晶工艺跟踪单，从而获得产品的具体生产日期、质量检验员、生产班组等信息。产品质量的可追溯性为公司持续改进管理水平和生产工艺提供了重要保障。公司已经通过 ISO9001:2015 标准质量管理体系认证和IATF16949：2016汽车行业质量管理体系认证。

  公司主要采用大客户直销的模式进行销售，营销部负责公司现有客户的维护和潜在客户的开发。客户发送订单至公司，经公司确认订单条款，双方对产品类型、数量、价格以及交货期等要素达成一致后按照订单约定履行各自义务。公司根据订单约定交付产品后，将持续跟踪客户产品到货情况及销售回款情况。

  公司下游客户对大直径硅材料及其应用产品有较高质量要求，对供应商选择有较为严格的筛选、考核体系。公司成功进入下游客户供应链体系一般需要经历现场考察、送样检验、技术研讨、需求回馈、技术改进、小批试做、批量生产、售后服务评价等环节，认证过程严格，认证周期较长，一般为3-12个月不等。为了保证高品质产品的稳定供应，一旦通过下游客户的认证，客户会与供应商建立长期稳定的合作关系。

  公司在拓展潜在客户时，会对客户进行背景调查，在对客户的技术要求进行内部评估的同时，对客户报价进行成本效益核算，进而对是否进入该潜在客户供应链体系进行综合判断。

  经过半个多世纪的发展，“全球分工，自由贸易，效率优先”的国际半导体产业链已经发展成熟，分工严密且不断加深；但另一方面，近年国际政治经济局势的变化，也正在推动全世界主要经济体走向“芯片制造本土化”，各国竞相推出巨额补贴和政策支持，上马本土集成电路制造产能，全球集成电路制造产能的扩产规模和增速相比往年有所增加。

  SEMI于2024年1月预测，预计2024年全球半导体产能将增长6.4%，从2022年至2024年，全球半导体行业计划开始运营82个新的晶圆厂，其中包括2023年的11个项目和2024年的42个项目。集成电路制造厂作为产业链核心企业，短期内大规模增加的资本开支，将对上游设备和材料厂商提供发展机遇。

  公司处于行业上游的半导体硅材料行业，深深植根于全球半导体产业链，同时伴随中国本土产业链发展而壮大。半导体硅片市场的出货量及单价，影响并带动其它硅材料产品，是硅材料市场整体景气度的晴雨表。SEMI于2023年2月公布数据，2023年全球半导体硅片出货量为126.02亿平方英寸，同比下滑14.3%；总销售额达123亿美元，同比下滑10.9%，下降的原因是终端需求放缓和库存调整。其中，存储芯片和逻辑芯片需求的疲软导致12英寸晶圆的订单减少，而代工需求和模拟芯片需求减弱，导致8英寸晶圆的出货量下降。

  目前，全行业仍处于产能扩张周期，海外领先硅片生产厂商的新增产能将陆续于 2024 年至2025年投入量产。全球市场份额排名第二位的日本胜高公司预计，随着全球半导体市场需求企稳回升，订单量有望在2024年下半年恢复，供大于求的态势有望从2025年开始得到好转。

  半导体级硅材料行业属于资金密集型行业，前期涉及厂房、设备等巨额资本投入，且生产所需高精度制造设备和质量检测设备的采购资金占比很高，固定资产投资规模庞大。同时规模化生产是行业参与者降低成本提升市场竞争力的必要手段，因此市场新进入者必须达到一定的经济规模，才能与现有企业在设备、技术、成本、人才等方面展开竞争。

  半导体级硅材料质量优劣的评价标准主要包括晶体尺寸、缺陷密度、元素含量、元素分布均匀性等一系列参数指标。实际生产过程中，除了热场设计、原材料高纯度化处理外，需要匹配各类参数并把握晶体成长窗口期以控制固液共存界面形状。在密闭高温腔体内进行原子有序排列并完成晶体生长是复杂的控制工程，工艺难度较高，且产品良品率和参数一致性受员工技能和生产设备性能的影响，人机协调也是工艺难点所在。

  我国半导体级硅材料行业起步较晚，相比国外先进水平较为落后，具备相关理论知识和行业经验的高级技术人才以及熟练的技术工人都相对匮乏。市场新进入者难以在短时间内获得足够有丰富经验的专业性技术人才，而行业人才的培养、经验的积累以及高效的协作都需要较长时间。

  半导体级硅材料行业下游客户为保证自身产品质量、生产规模和效率、供应链的安全性，十分注重供应商生产规模、质量控制与快速反应能力。因此，行业下游客户会对供应商执行严格的考察和全面认证程序，涉及技术评审、产品报价、样品检测、小批量试用、批量生产等多个阶段，行业下游客户确保供应商的研发能力、生产设备、工艺流程、管理水平、产品质量等都能达到认证要求后，才会考虑与其建立长期的合作关系。因此，认证周期较长，认证时间成本较高。一旦供应商进入客户供应链体系，基于保证产品质量的稳定性、控制供应商渠道开拓与维护成本等多方面的考虑，客户一般不会轻易改变已定型的产品供应结构。

  公司大直径硅材料产品尺寸主要为14-22英寸，主要销售给半导体等离子刻蚀设备硅零部件制造商，经一系列精密的机械加工制作成为集成电路制造刻蚀环节所需的核心硅零部件。公司生产并销售的集成电路刻蚀用大直径硅材料纯度为10到11个9，产品质量核心指标达到国际先进水平，可满足7nm及以下先进制程芯片刻蚀环节对硅材料的工艺要求。

  公司凭借无磁场大直径单晶硅制造技术、固液共存界面控制技术、热场尺寸优化工艺等多项业内领先的工艺或技术，使公司能够实现不借助强磁场，仅在常规单晶生长设备上生长出大直径的单晶硅晶体，从而在维持较高良品率和参数一致性水平的基础上，有效降低了单位生产成本； 公司顺应晶体“大型化”的市场趋势，引入了新型长晶设备，改良了热系统，提升生产过程数字化水平，提高了管理精细度，优化了工艺方案，实现了效能提升；大直径多晶硅材料及其制成品生产技术方面，公司研发团队攻关多晶硅晶体制造工艺，不断提升晶体良品率，能够满足客户对更大尺寸晶体的需求。

  大直径硅材料经过切片、研磨、钻孔、腐蚀、抛光、检验等多道精密加工步骤后，可制成等离子刻蚀机用的硅零部件，如：上电极，硅片托环等。等离子刻蚀机的气体通过气体分配盘，经由硅上电极的近千个细微小孔进入刻蚀机腔体中，在一定电压的作用下，形成高强度的等离子体。

  若细微小孔的孔径不一致，会影响到电路刻蚀的精度，从而造成芯片良率的下降；同时，上电极及硅片托环与芯片同处于刻蚀机腔体中，受等离子体的刻蚀后，逐渐变薄，当这些硅零部件厚度减少到一定程度后，需替换新的硅零部件，以满足等离子刻蚀机所需要的工艺条件。因此，硅零部件是晶圆制造刻蚀工艺的核心耗材。硅零部件的物理特性和化学特性对于晶圆表面的沟槽精度、均匀性等指标有着重大影响。

  等离子刻蚀设备厂商或集成电路制造商通常对硅零部件的选择有着很高的要求，加工难度极高。以硅上电极为例，该产品有近千个微孔，每个微孔的尺寸精度、位置精度等都有极高要求，甚至每个微孔内壁表面的保持一定程度的光滑度，以达到孔内壁“不易产生异物污染”的要求；同时，刻蚀气体经过每个微孔后，孔径内壁腐蚀变化程度也需要保证一致性。在进行表面、外形加工过程时，刀具与硅材料的接触过程中，极易造成微观层面的崩裂等表面细微损伤，这种表面损伤可延伸至产品内部，造成产品在使用过程中的异常。所以，近千个微孔的加工必须一气呵成。

  公司经过长时间的研发，掌握了硅零部件的加工技术，在高深径比钻孔技术、孔内腐蚀技术、清洗技术等方面建立了坚实的基础，产品已经交付客户使用，反馈良好。公司针对超平面空间结构，已经开发出多款适配计算机显示终端需求的硅零部件，报告期内公司研发取得了硅部件精密刻蚀洗净技术，进一步满足了下游客户的需求。

  公司以生产技术门槛高，市场容量比较大的轻掺低缺陷抛光硅片（正片）为目标，目前从全球市场8英寸硅片总需求上看，轻掺硅片占全部需求的70-80%左右；在12英寸硅片总需求中，轻掺硅片占比几近100%。公司已掌握了包含8英寸半导体级硅片在内的晶体生长及硅片表面精密加工等多项核心技术。具体包括：晶体生长稳态化控制技术、低缺陷单晶生长技术、高良率切片技术、高效化学腐蚀及清洗技术、超平整度研磨抛光技术、硅片检测评价技术、硅片表面微观线性损伤控制技术、低酸量硅片表面清洗技术、线切割过程中硅片翘曲度的稳定性控制技术、针对8 英寸抛光片表面雾化现象的控制加工技术、硅片表面超平坦抛光技术、高温氩气退火技术、酸腐蚀平坦度控制技术、硅片表面颗粒清洗技术等。

  公司分阶段实施的工艺优化，即通过工艺和热场结构的变化，加强对晶体内氧含量的控制，以适配不同规格硅片的相应技术要求，能够实现从晶体生长端到硅片加工端的协同效应。硅片加工技术方面，公司研发了控制硅片表面平坦度的多项核心技术，硅片正片的平坦度指标持续改善，产出率逐步提高，能够持续满足下游客户的真实需求。

  在大直径硅材料领域，凭借多年的技术积累及市场开拓，公司在产品成本、良品率、参数一致性和产能规模等方面均具备较为明显的竞争优势，细分市场占有率不断上升，市场地位和市场影响力不断增强。目前公司已扎根于分工严密的国际半导体供应链中，大直径硅材料直接销售给日本、韩国等国的知名硅零部件厂商。后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备厂商，例如美国泛林集团（Lam Research）和日本东电电子（Tokyo Electron Limited, TEL），并最终销售给三星和台积电等国际知名集成电路制造厂商。

  报告期内，公司大直径硅材料产品生产情况稳定，产能得到稳健扩充；产品结构继续优化升级，利润率较高的16英寸以上产品收入占比上升至39.01%；成本方面，2023年以来，原始多晶硅原料价格下降并回复至历史价格中枢，随着公司原有库存原材料消耗，公司大直径硅材料产品的原始多晶硅原料成本将逐渐降低。公司继续保持细分市场竞争优势。

  在硅零部件领域，公司拥有一南一北两个厂区，配合国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品，正在从研发机型扩展至某些成熟量产机型；与数家12英寸集成电路制造厂商接洽，已有数十个料号获得评估认证通过结果。

  在半导体大尺寸硅片领域，公司核心技术团队在日本有多年的轻掺低缺陷硅片生产经验。公司是国内极少数专注于轻掺低缺陷技术路线的硅片厂商，具备替代海外供应商向国内集成电路制造厂商供应高质量硅片的潜在实力。

  3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 （1）半导体终端需求结构性变化对产品定制研发能力提出更高要求 报告期内，全球半导体市场呈现结构性变化，SEMI预计，2024年全球半导体市场的增长来自前沿的逻辑芯片和代工、生成式人工智能、高性能计算等应用的增长以及芯片在终端领域的需求。

  一方面，生成式人工智能应用快速迭代发展，算力相关存储、逻辑芯片热销，但其对市场整体带动仍有限；另一方面，尽管AI+PC、AI+手机的初代产品已经面世并引起广泛关注，但消费电子市场能够取代智能手机的下一代主机产品尚不明确。因此，下游市场的不确定性增加了上游企业对趋势的判断难度，同时也对企业的产品定制研发能力提出更高要求，唯有紧跟市场变化并推陈出新的企业才能快速反应、赢得先机。

  台积电于 2024 年 1 月公布的营运绩效报告显示，“高性能计算”和“智能手机”两大技术平台占公司2023年总收入的比重为43%和38%，高性能计算已经取代智能手机，成为该公司最重要的年度收入来源，且占比同比继续提升。从全年增长来看，高性能计算和车用电子技术平台同比增长为0%和15%，智能手机、物联网和消费电子同比下滑8%、17%和16%。三星电子于2024年1月表示，2023年销售额同比下降14.3%，营业利润同比下降84.9%，预计DRAM和NAND库存将在2024年第一季度后和2024年上半年内恢复至正常范围。SK Hynix认为，随着面向人工智能的存储器需求加剧，未来的竞争将在于通过及时、合理的价格为客户提供所需的价值来维持销售额和利润增长，而不是仅仅基于数量的市场份额。人工智能时代的来临，正在催生多元化、定制化的存储芯片市场。

  从中国本土市场来看，SEMI预计2024年全球将有35座新晶圆厂运营，其中中国计划运营16座。中国芯片制造商在2023年月产能同比增长12％至760万片；2024年月产能将同比增加13％至860万片。中芯国际于2024年2月表示，整个市场来看，需求复苏的强度尚不足以支撑半导体全面强劲反弹，从地缘政治出发的产能建设越来越多，加上宏观经济周期、消费滞后，晶圆代工业的利用率在短时间内很难回到前几年的高位。但是，中国是世界上最大的芯片应用市场，在地生产具有更大的机会，公司将密切关注供应链的安全性、可靠性、韧性，不遗余力地推进供应链的多元化和国产化。

  （2）芯片制程日趋缩小对刻蚀工艺和大直径硅材料制造技术提出更高要求 报告期内，国际先进集成电路制造厂商的先进制程工艺取得突破：三星电子计划于2025年实现2nm产线.4nm制程技术。半导体加工制程不断进步，12英寸集成电路产品的设计线宽越来越窄，因此沟槽也相应变窄，需要更高的刻蚀精度。更高的刻蚀精度，对12英寸硅片表面的温度、刻蚀气体浓度、材料性质提出更高的均匀性要求。采用更大的腔体和更大的上电极、下电极，更容易确保12英寸硅片面内各项工艺对均匀性的要求。因此，目前国际领先刻蚀机厂商的最新机型，都在向着大型化方向发展。随着以上技术工艺发展，更大尺寸的硅电极及其所需的上游材料——更大直径的大直径硅材料(16英寸以上)的需求也将随之增加。

  此外，以HBM为代表的人工智能所需算力芯片研发竞争日趋激烈，SK Hynix、三星、美光都在2024年年初推出各自的新一代HBM产品。三维堆叠结构的HBM产品对TSV工艺提出更高要求，刻蚀工艺的精准控制和优化对于确保TSV的准确形成和可靠性至关重要，对刻蚀技术和刻蚀应用数量提出更高要求。SK Hynix和三星都提出计划在年内增加TSV产能。

  目前，公司16英寸以上大直径硅材料产品的技术和产能在全球市场拥有竞争优势；公司将持续研发针对体积较大、设计难度较高的12英寸高端制程所需硅零部件产品。

  报告期内，美国施行集成电路产业支持政策，对华技术出口管制措施继续升级。2023年3月14日，美国国务院宣布为《芯片和科学法案》（CHIPS and Science Act）项目拨款1亿美元，用于支持半导体和安全信息和信息通信技术。该法案主要内容包含财政税务补贴支持，刺激多在美国本土有或者曾经有制造部分的行业头部企业，包括英特尔、美光和安森美等重新回到美国研发与生产。2023年10月17日，美国商务部工业和安全局（BIS）更新了“先进计算芯片和半导体制造设备出口管制规则”的三项内容，对2022年10月7日规则的修改和强化，对人工智能相关芯片、半导体制造设备的对华出口限制进一步收紧，并将多家中国实体增列入出口管制“实体清单”。

  此外，美国、欧盟、韩国、日本都已在实施数十亿至数百亿美元不等的半导体投资补贴政策。

  宏大的发展目标及巨额的公共资金支持，正在改变全球半导体产业的资源流向和投资节奏。2024年 2 月，台积电与日本索尼等公司合资的熊本工厂投产，第二座工厂预计 2026 年投产，与此同时，美国亚利桑那工厂却宣布延期至2025年投产。芯片制造产能对本土供应链的要求极高，并非仅凭政策和补贴能够一蹴而就，公司所在的东亚中日韩三国的产业链优势难以撼动。

  全球主要经济体面向芯片制造领域的产业政策竞争持续加剧，带来的风险与机遇并存：一方面，公司的中国本土客户向美国进口先进设备的难度大大增加，产品研制和产能扩张受到延缓和阻碍；另一方面，随着对华技术出口管制政策收紧，下游本土客户对国产供应商的评估认证积极性有所增强，速度有所提升，也为公司的硅零部件和半导体大尺寸硅片产品提供了更大的成长空间和更强的成长动能。

  大直径单晶硅材料生产技术方面。报告期内，公司优化多项长晶工艺，提高设备生产效率，持续提升单批次产量和成品率。为应对国际国内市场日益增长的需求，公司还及时地对主要生产设备进行针对性的升级改造：持续优化投料方法，改进了热场结构，对热场中的主要石墨部件进行精细化管理。这不仅提高了生产设备的使用寿命，还缩短了生产时间，降低了制造成本，良品率和产量不断提升。另外，为顺应晶体“大型化”的市场趋势，公司还引入了新型长晶设备，改良了热场系统，提升生产过程数字化水平，提高了管理精细度，优化了工艺方案，实现了效能提升；

  大直径多晶硅材料及其制成品生产技术方面。公司研发团队持续攻关多晶硅晶体制造工艺，以满足客户对更大尺寸晶体的需求，报告期内研发取得了“多晶硅晶体致密性优化技术”。研发团队持续探索晶体各项理化指标所对应的工艺，并取得了更多试验数据，晶体良品率持续提高。

  公司将不断提升包括晶体尺寸、缺陷密度、元素含量、元素分布均匀性在内的一系列参数指标，为客户提供稳定的优质大直径硅材料。

  产品研发方面。报告期内，公司配合国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品，适用于 12英寸等离子刻蚀机，已逐步定型并实现批量生产，能够满足刻蚀机设备原厂不断提升的技术升级要求。等离子体刻蚀工艺不同，硅零部件表面状态和工艺处理要求各异，因此，公司持续配合设备原厂积极开发硅零部件系列产品。另外，为顺应刻蚀机腔体“大尺寸化”的趋势，以优化空间结构并提高刻蚀效率，公司针对超平面空间结构，已经开发出多款适配终端客户需求的硅零部件，正在逐步优化各项加工工艺，提高成品率。

  加工工艺方面。随着芯片用等离子刻蚀机不断改型及升级，使得目前大多数制造商所应用的平面抛光技术受到严峻考验。公司联合开发了用于硅零部件的化学机械抛光工艺。与目前主流的平面抛光不同，该项技术可使抛光压力作用于各类表面的法线方向，实现复杂异形面的快速抛光，同时在作业过程中实时监测系统的抛光压力并自动调整，保证所有表面在同一抛光压力下完成，表面形貌一致，损伤层去除均匀，实现优良的表面完整性，进一步满足下游客户的需求。此外，公司开发的精密磨削工艺替代了成本较高的研磨工艺，大幅提升了加工效率，加强了定制开发能力，新开发的“硅部件精密刻蚀洗净技术”则进一步满足了客户对产品洁净程度的要求。

  硅片加工技术方面。报告期内，公司研发取得“硅片表面颗粒清洗技术”，慢慢地提高产出率，能够持续满足下游客户需求。公司将分阶段实施工艺优化，即通过工艺和热场结构的变化，加强对晶体内氧含量的控制，以适配不同规格硅片的相应技术要求，提高从晶体生长端到硅片加工端的协同效应。

  随着晶体直径的增加，生产用坩埚直径将增大，生产过程 中热场的不均匀性及硅熔液的对流情况也越明显，导致部 分硅原子排列呈现不规则性，进而形成更多的晶体缺陷， 造成良品率下降。公司通过有限元热场模拟分析技术，根 据产品技术方面的要求开发相应的热场及匹配工艺，无需借助强 磁场系统抑制对流，实现了无磁场环境下大直径单晶硅的 制造，有效降低了单位成本。

  固液共存界面指晶体生长时的固态晶体与液态硅液接触的 界面形状，是硅单晶体生长的核心区域。由于晶体生长本 质上属于原子层面的排列变化，因此固液共存界面的微小 变化均会对晶体生长质量产生重大影响。晶体生长的不同 阶段需要差异化的界面控制方法以保证形成合适的固液共 存界面状态，最终实现产品较高的良品率和参数一致性水 平。公司拥有的固液共存界面控制技术确保晶体生长不同 阶段均能保持合适的固液共存界面，大幅提高了晶体制造 效率和良品率。

  对于大部分市场参与者，利用直拉法进行拉晶的过程中， 成品晶体直径与热场直径比通常不超过0.5。公司通过多 年持续的研发试验，逐步提升了热场设计能力并实现了热 场尺寸的优化。目前公司成品晶体直径与热场直径比已提 高到0.6-0.7的技术水平，已实现使用28英寸石英坩埚 完成19英寸晶体的量产，有效降低了生产投入成本。

  多晶硅投料优化工艺包括两大技术方向：一是多晶硅原材 料与回收料配比投入；二是单位炉次投料量单炉次投料数 量受坩埚大小、热场尺寸、产品型号等因素限制，投料数 量的增加依赖工艺的改进和优化。在保证高良品率的前提 下，公司实现了多晶硅原材料与回收料配比投入并量产， 同时实现了单位炉次投料量及良品产量不断增长。

  P型单晶硅棒电阻率控制是通过将硼系列合金掺入硅熔液 中实现。公司通过掺杂剂的标定方法、掺杂剂在硅溶液中 的扩散计算方法、目标电阻的设定方式实现了产品电阻率 的精准控制。

  通过控制晶体颈部的直径及长度等参数，快速排除晶体面 缺陷和线缺陷，减少晶错，从而提高一次引晶的成功 率。

  轻掺晶体中容易产生晶体原生颗粒等点缺陷，导致单晶硅 不能用于微小设计线宽的集成电路制造，减少或消除晶体 点缺陷是开发先进制程硅片的前提，公司已实现在无磁场

  热系统是为晶体生长提供保障的关键部件，针对热场内部 的石墨部件损耗，开发出该方案。降低石墨部件随着气流 所损耗的程度。保证晶体结晶生长环境的稳定性。

  基于理论和实践结果，生长状态保持稳定，有利于获得更 高品质的晶体。在晶体生长过程中，通过对热系统的配 置、工艺参数控制，保持均匀的原子排列速度，使晶体的 生长处于稳定状态。

  由于掺杂剂的物理偏析特性，晶体的电阻率从头部到尾部 是连续变化的。控制不同区段的掺杂剂浓度，使得同一批 次晶体，呈现多种电阻率分布。

  硅片抛光过程难免出现一些小划痕，从而降低良品率。在 抛光工序中，通过系统性的工艺改良，大大减少划痕的出 现概率，提高良品率。

  对于去除硅片表面的重金属污染，传统方法是使用浓度较 高的酸混合液。通过改良清洗配方，降低酸的使用量，达 到同样的去除金属效果，并降低了制造成本。

  通过对线切割过程中张力、砂浆配比、砂浆温度等参数进 行优化调整，有针对性地调整局部参数，系统性保障线切 割过程的稳定性，有效控制硅片的翘曲度。

  硅电极产品制作过程中需要打通近千个微小深孔，为了减 少刻蚀过程中的微小颗粒物数量，必须对其内表面进行抛 光工艺处理，达到无毛刺、表面洁净的效果。

  不同厂商的等离子刻蚀机，有不同规格的螺纹孔。公司通 过对硅这种脆性材料的深入研究，开发出一系列的加工工 艺，可以制作各种规格的螺纹，并且能够保证螺纹的完整 性和强度。

  对8英寸晶体内晶格间的应力进行有效释放，降低晶体缺 陷。晶格间的应力，影响晶体最终的缺陷形态，因此，硅 原子相变过程中，通过外部工艺施加影响，逐步释放这部 分能量，降低缺陷的产生。

  在8英寸晶体的生长过程中，通过控制晶体中的氧浓度， 以及适当增加异种元素浓度等工艺来控制氧化合物析出， 以在合适水平控制热处理衍生缺陷的技术。

  IC制造厂商根据使用方向的不同，对硅片的电阻率偏差要 求不同。而晶体生长过程中，由于偏析现象，晶体各部位 的电阻率不同，头尾电阻率比值较大。公司通过精准控制 各种长晶参数，可较为精确地控制晶体电阻率的均匀性。

  针对200mm抛光片雾化现象，公司综合硅片平坦度、表面 粗糙度控制等技术，结合特定的表面清洗工艺有效控制硅 片表面颗粒粘附、边缘崩塌等问题，控制抛光加工中的一 些关键技术，极大改善和提升硅片表面平坦度。

  针对单晶硅、多晶硅材料的细微深孔加工：通过一系列精 密工艺，保证了细微深孔圆度；研发出特制工具和装置，

  并通过改变转速、单次啄钻深度、进给速度等参数，提高 了细微深孔深度加工能力及精度；同时采用更细密的磨削 砂轮，降低表面粗糙度，精确控制表面各点磨削去除量， 发明了改善端面铣削进退刀痕迹的加工方法，达到了外观 修整的目的。

  多晶硅晶体生长过程中，溶液分子容易与杂质或坩埚壁结 合形成非均质形核。这种晶核生长出的晶花较为松散，尺 寸偏大，晶向无明显规律。利用定向凝固方法，在原料中 放置了一定比例的具有一定晶向的原料，并辅助特定的堆 料方式，通过精细化过程控制，达到多晶生长过程中的晶 格有序排列，提高了多晶硅晶体品质。

  该项技术工艺可使抛光压力作用于各类表面的法线方向， 实现圆形平面，环形平面，圆锥面、大曲率变化面等复杂 异形面的快速抛光，同时在作业过程中实时监测系统的抛 光压力并自动调整，保证所有表面在同一抛光压力下完 成，表面形貌一致，损伤层去除均匀，实现优良的表面完 整性，进一步满足下游客户的需求。

  通过温度控制技术，管理抛光液及抛光垫温度，控制抛光 片表面形貌变化。针对抛光液用量和循环时间的管控，控 制抛光定盘形状，通过抛光过程中载荷和转数的匹配，使 抛光过程中各个阶段的平坦度和去除量达到平衡，从而达 到有效控制平坦度的效果。

  为了避免研磨工艺成本比较高的弊端，公司开发了精密磨削 工艺，在磨削中能够精准的将表面粗糙度控制在Ra0.2～ Ra0.8区间内，平面度达到微米级别，在产品表面加工中 替代研磨工艺，可以大幅提升效率。加工后的产品表面状 态优良，能够为后续的表面处理打下良好基础，进一步丰 富了工艺，提高了效率，强化了定制开发能力，实现用户 的多样化需求。

  精密硅部件需要通过特有的化学清洗工艺进行处理，方能 保证产品的纯净无污染。公司研发了洁净环境自动化清洗 线，全程历经十几道工艺段，辅以超纯水、超声波、高压 清洗等手段，对硅部件产品进行全方位精准清洗，再经过 无尘干燥包装技术，对硅部件产品进行隔离防护，避免二 次污染，满足客户对产品洁净程度的要求。

  通过流体控制技术，调整升温时间以及升温速率等多项参 数，在足够高的温度区间，使硅片表层区域内的COP等原 生点缺陷表面的自然氧化膜向外扩散，并使得硅原子发生 迁移从而补平该点缺陷，有效去除近表层区域的晶体原生 缺陷。同时，通过对氩气流量的控制，使硅片在经过高温 氩气退火工序后，表面雾化现象不易产生，在硅片体内的 中间部分增加BMD等析出物，增加了硅片的强度，使硅片 不易发生翘曲，从而提升硅片品质。

  通过在特殊配比的酸腐蚀混合溶液中添加两性离子表面活 性剂，改变硅片表面溶液的张力。腐蚀过程中通过特定的 多种机械复合运动使硅片在腐蚀溶液中均匀反应，有效改

  善STIR(Site Total lndicator Reading)和TTV（Total Thickness Variation）指标。

  通过增加硅部件在不同清洗槽内的多段位移运动，形成硅 部件产品清洗的新工艺。同时辅以联合开发的预清洗机 台、特殊比例药剂等工艺方法共同配合，完成对硅部件内 微小气孔及表面的彻底洗净，进一步减少颗粒度并隔离金 属离子，满足高端客户需求。

  硅片工艺流程中存在颗粒污染，这些颗粒通过化学吸附和 物理吸附留存在硅片表面造成污染。我司通过对清洗液的 配比优化，减少硅片表面微腐蚀，清洗表面颗粒，并使用 特种过滤技术使颗粒不会再吸附在硅片表面。使用特种声 波技术清洗去除硅片表面细小颗粒，辅以表面氧化使硅片 表面形成钝化保护层。通过静电去除技术避免干燥后硅片 表面造成二次颗粒吸附。

  针对多晶抛光后易出现的表面异常白点或空洞，通过计算 控制原料中不纯物的混入量，辅助特殊的装料方法，减少 空洞发生的概率。通过更换离型剂的主要成分，改善硅晶 体和引晶材料之间的界面能，有利于诱导晶核的产生，提 高晶体的致密性。

  为保证大尺寸、复杂形状构件表面陶瓷涂层的完整均匀覆 盖，避免出现颗粒夹杂、生长取向偏差及晶型转变等沉积 缺陷，公司通过对沉积过程的热/流场模拟仿真并结合大 量工艺实验，研发出一套适用于陶瓷涂层高温沉积的可控 气体分布技术。该技术将合理化的流道设计和独特的喷嘴 结构相结合，实现了对待沉积工件表面不同位置的工艺气 体均匀可控输送，从而很好地消除了大尺寸异型构件涂层 过程中常见的“阴影效应”和“位置效应”，能有效地提 高该类产品的涂层质量和良品率。