【48812】ITO薄膜制备过程中影响其功用的要素
时间: 2024-08-07 02:59:45 | 作者: 产品展示
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在太阳能电池的正面和反面印刷金属,构成双面对称结构的异质结,TCO层/P掺杂a-Si:H层/本征a-Si:H钝化层/c-Si晶片/本征a-Si:H钝化层/N掺杂a-Si:H层/TCO层。但异质结太阳能电池的发射极为非晶硅,因而就需要在非晶硅层与金属电极之间引进的横向传输,并削减传统太阳能电池因横向传输功用差而带来的热丢失高的缺点。
在许多TCO薄膜中,ITO薄膜是一种n型半导体通明导电氧化物薄膜,其带隙大于3.5 eV,电阻率低至10-4Ω cm 。它具有共同的光学功用,如紫外线截止特性、可见光高透过率、红外光反射率高级。而在制备ITO薄膜的过程中,氧含量、堆积温度和溅射功率对ITO薄膜透光率和电导率有必定影响,也对HJT太阳能电池功用发生影响。
氧含量对ITO薄膜的透过率和电阻率较为灵敏。不同氧含量制备的ITO薄膜的载流子迁移率、载流子浓度、电阻率、透过率都不同,ITO薄膜的导电率首要是依托氧空位和杂原子掺杂供给载流子。1个Sn4+替代In3+可以给我们供给1个电子,1个氧空位可以给我们供给2个电子;但是,迁移率与薄膜中的散射机制有关。
从上图可以精确的看出,载流子浓度跟着氧含量的增加而下降,这是由氧空位削减引起的。跟着氧含量的增加,迁移率出现先增加后削减的趋势。当氧含量为2.2%时,迁移率到达最大值29.9 cm-2/V-2·s-1;但是,当氧含量超越2.2%时,迁移率下降。丰厚的氧含量使薄膜中的氧离子成为氧杂质。因而,载流子的散射跟着氧含量的增加而增强,导致载流子迁移率下降,电阻率跟着氧含量的增加而增加。依据ρ=Nμ,ITO薄膜的电阻率与载流子浓度和迁移率有关,而且与载流子浓度和迁移率的乘积成反比。一开始,因为氧气缺乏,ITO薄膜中存在许多氧空位,导致载流子浓度较高,电阻率较低。尔后,跟着氧含量的增加,薄膜中的载流子浓度和迁移率均下降,电阻率增大。
有关。过高的载流子浓度会与入射光发生激烈的相互效果,从而影响薄膜的透过率。从下图可以精确的看出,。因为在高氧含量条件下构成高价化合物,薄膜的透光率上升至90%以上。当持续增加氧含量时,透光率再次下降,这可能是因为晶界吸收了过量的氧离子以及样品中的缺点增强了样品的散射。
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